2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[17p-E202-1~19] 15.4 III-V族窒化物結晶

2018年3月17日(土) 13:15 〜 18:30 E202 (57-202)

岩谷 素顕(名城大)、本田 善央(名大)、齋藤 義樹(TSオプト)

15:30 〜 15:45

[17p-E202-9] 2段階MOVPE法を用いたGaNナノワイヤの結晶成長

佐々井 耕平1、鈴木 敦志1、澁谷 弘樹1、栗崎 湧気1、軒村 恭平1、竹林 穣1、飯田 一喜1、曽根 直樹1、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1、赤﨑 勇1,2 (1.名城大学、2.名古屋大学・赤﨑記念研究センター)

キーワード:GaN ナノワイヤ