2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

9 応用物性 » 9.4 熱電変換

[17p-F102-1~17] 9.4 熱電変換

2018年3月17日(土) 13:45 〜 18:30 F102 (61-102)

都甲 薫(筑波大)、中村 芳明(阪大)、林 慶(東北大)、桂 ゆかり(東大)

15:00 〜 15:15

[17p-F102-6] (Sb,Zn)ドープMgシリサイド/電極界面における熱的安定性

増岡 優美1、旭 良司1 (1.豊田中研)

キーワード:Mgシリサイド、ドーピング、熱電変換

Mgシリサイドは種々のドーピングによって熱電性能が改善することが知られている。しかしその一方で、ドーパントが界面や粒界に析出することによる素子特性の耐久性低下がしばしば問題となる。本報告では、n型Mg2Si熱電材料に対し、Ni電極界面での熱的安定性を微細構造組織観察により調べた。その結果、Sb単独ドーピングに対して、SbとZnの同時ドーピングの場合、界面での安定が向上することを明らかにした。