[17p-F104-1~16] 12.2 評価・基礎物性

[17p-F104-16] 低速電子回折によるIn/Si(111)表面上のフタロシアニン分子の吸着状態の研究

〇八田 振一郎¹、綾 遥奈¹、奥山 弘¹、有賀 哲也¹ (1.京大院理)

キーワード：有機薄膜、電子回折

Si(111)基板上にIn2原子層からなる２次元金属層を形成し、その上に銅フタロシアニン分子を吸着させた系の分子の自己組織化について低速電子回折（LEED）および電気伝導４端子プローブを用いて調べた。単分子層以下の分子吸着層は被覆率と温度に依存するLEEDパターン変化を示した。吸着量が1分子層に近いまたは低温のときには行列(4 1|1 4)で表現される超格子を形成するが、低被覆率や高温では2次元ガス相を示唆するリング状パターンが観測された。この変化は試料を約330K以上に加熱しなければ、温度について可逆的であることが確認された。加熱による不可逆変化は表面電気伝導度を低下させる。このことは分子が基板と反応したことを示唆している。