[17p-F104-1~16] 12.2 評価・基礎物性

[17p-F104-3] Ni/カルバゾールオリゴマー/Ni 単分子接合の磁気抵抗効果

〇美濃出 圭悟¹、アルブレヒト 建²、大戸 達彦¹、山田 亮¹、山元 公寿²、夛田 博一¹ (1.阪大基礎工、2.東工大化生研)

キーワード：単分子エレクトロニクス、スピントロニクス、磁気抵抗効果

単分子接合では、強磁性電極との結合によるスピンに依存した電子状態から大きな磁気抵抗効果（MR）比が期待されている。一方、実際は強磁性電極のナノ接合による異方性MRが混在するため実験的な検証が困難だった。
本研究では分子接合の対称性によりMR比が変化するという理論予測に着目し、電圧印加方向によって分子接合の対称性を制御できるカルバゾール分子を利用しMRを測定し、分子由来のMRを得ることに成功した。