[17p-F202-1~12] 9.5 新機能材料・新物性

△ [17p-F202-3] 高絶縁性トポロジカル絶縁体Sn-BSTSにおける表面伝導のゲート制御

〇三澤 哲郎^1,2、福山 康弘²、中村 秀司²、岡崎 雄馬²、名坂 成昭¹、金子 晋久²、笹川 崇男¹ (1.東工大、2.産総研)

キーワード：トポロジカル絶縁体、ゲート制御、デバイス

トポロジカル絶縁体は高い移動度とスピン分裂したバンド構造を持つため、電子・スピンデバイスへの応用が期待されている。応用にあたり、表面電気伝導のゲート制御が必要であるが、トポロジカル絶縁体は薄片であっても上下面がそれぞれ伝導を担うため、複数のゲート構造によるフェルミ面制御の必要性が認識されつつある。本講演では、高絶縁性トポロジカル絶縁体Sn-BSTSの表面伝導の、デュアルゲート制御について述べる。