[17p-F202-1~12] 9.5 新機能材料・新物性

△ [17p-F202-4] スパッタ法によるCu₃MN(M= Zn, Pd)薄膜の作製と特性評価

〇(B)強 博文¹、Asano Hidefumi¹ (1.Nagoya Univ.)

キーワード：トポロジカル半金属、結晶成長、スパッター

窒化物半導体Cu₃Nに金属Mを添加して形成される逆ペロブスカイト型Cu₃MNは金属的な伝導を示すことが知られていた。近年、M＝Zn, PdとしたCu₃MNがトポロジカル半金属であるという理論予測[がなされ注目を集めている。従来、これらのバルク、薄膜作製は報告されているが、その電子物性の詳細は明らかではない。そこで、本研究ではスパッタ法により金属元素Mおよびその添加量を制御して作製したCu₃MN (M= Zn, Pd) 薄膜の結晶構造、電気的・磁気的特性を調べたので、報告する。