2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術

[17p-F206-1~17] 13.3 絶縁膜技術

2018年3月17日(土) 13:45 〜 18:15 F206 (61-206)

上野 智雄(農工大)、大田 晃生(名大)

16:30 〜 16:45

[17p-F206-11] パルスレーザーアニールによるHfO2薄膜の非平衡結晶化

〇(M1)森 優樹1、柴山 茂久1、矢嶋 赳彬1、西村 知紀1、右田 真司2、鳥海 明1 (1.東大院工、2.産総研)

キーワード:パルスレーザーアニール、ハフニア、HfO2