[17p-F206-1~17] 13.3 絶縁膜技術

[17p-F206-12] イオン注入技術を利用したSi-doped HfO₂強誘電体薄膜の形成

〇右田 真司¹、太田 裕之¹、山田 浩之¹、渋谷 圭介¹、澤 彰仁¹、松川 貴¹、鳥海 明² (1.産総研、2.東大工)

キーワード：強誘電体、ハフニウム、イオン注入

HfO₂系強誘電体薄膜への添加元素は通常、ALD法やPVD法で成膜する際に同時に供給される。我々はその代替手法としてイオン注入技術を用いることを考えた。本研究では、同時スパッタ法およびイオン注入法でSi原子を供給した２種類のSi-doped HfO₂膜を作成し強誘電特性を比較した。