2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

9 応用物性 » 9.3 ナノエレクトロニクス

[17p-F210-1~14] 9.3 ナノエレクトロニクス

2018年3月17日(土) 13:30 〜 17:15 F210 (61-210)

西口 克彦(NTT)

13:45 〜 14:00

[17p-F210-2] 金ナノ粒子ランダムアレイの抵抗結合型単一電子トランジスタ的特性

守屋 雅隆1、Tran Huong1、松本 和彦1、森林 誠1、島田 宏1、木村 康男2、平野 愛弓3、水柿 義直1 (1.電通大、2.東京工科大、3.東北大)

キーワード:単一電子素子

金ナノ粒子(Au NP)は単一電子素子の島電極として広く用いられている。我々はAu NPランダムアレイを作製し、電流-電圧特性に負性微分抵抗が観測されたことについて報告した。
今回は、Au NPランダムアレイにおいて抵抗結合型単一電子トランジスタ的(R-SET)的な特性を見いだしたので、報告する。