[17p-F210-1~14] 9.3 ナノエレクトロニクス

[17p-F210-8] sub 1 nmナノギャップ電極を用いたベンゼンジチオールの電気特性評価

〇内藤 泰久¹、中村 徹¹、アルブレヒト 健^2,3、衛 慶碩¹、山元 公寿^2,3、島 久¹、石田 敬雄¹ (1.産総研、2.東工大、3.JST-ERATO)

キーワード：ナノギャップ電極、ベンゼンジチオール

我々は、近年sub1nm幅ナノギャップを、トンネル抵抗を制御しながら作製する手法を実現した。しかし、制御に伴うギャップ幅変化を実験的には実証しておらず、今回長さ0.9nmの有機分子（ベンゼンジチオール）を定規として利用することで検証した。その電気特性について解析した結果、ギャップ幅によって分子の架橋・非架橋の状態差がはっきりと表れており、作製時の条件によって1nm近辺のギャップ幅を精密に制御可能であることが分かった。