2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[17p-F214-1~14] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

2018年3月17日(土) 13:45 〜 17:30 F214 (61-214)

喜多 隆(神戸大)、若原 昭浩(豊橋技科⼤)

16:45 〜 17:00

[17p-F214-12] MBE成長したGaAs/GaAsBi量子井戸のBi組成分布

〇(M1)塚本 晟1、伊藤 瑛悟1、檜垣 興一郎1、田中 佐武郎1、石川 史太郎1、下村 哲1 (1.愛媛大学)

キーワード:半導体、MBE、GaAsBi

MBE成長したGaAs/GaAsBi量子井戸のBi組成分布をSTEM-EDSの組成マップから供給されるBi原子がランダムに分布しているのか、ランダムな分布から外れるのか検討しました。