[17p-F214-1~14] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[17p-F214-12] MBE成長したGaAs/GaAsBi量子井戸のBi組成分布

〇(M1)塚本 晟¹、伊藤 瑛悟¹、檜垣 興一郎¹、田中 佐武郎¹、石川 史太郎¹、下村 哲¹ (1.愛媛大学)

キーワード：半導体、MBE、GaAsBi

MBE成長したGaAs/GaAsBi量子井戸のBi組成分布をSTEM-EDSの組成マップから供給されるBi原子がランダムに分布しているのか、ランダムな分布から外れるのか検討しました。