[17p-F214-1~14] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[17p-F214-6] Si(100)ジャスト基板上MOVPE 成長GaAs 層のアンチフェーズドメイン低減

〇中尾 亮^1,2、佐藤 具就¹、杉山 弘樹¹、松尾 慎治^1,2 (1.NTT先端集積デバイス研、2.NTTナノフォトニクスセンタ)

キーワード：シリコン基板、直接成長

半導体製造の要望から、Si(100)ジャスト基板上にアンチフェーズドメインフリーな化合物半導体を成長する必要がある。我々はこれまでに、Si(100)ジャスト基板の高温熱処理時の圧力を減圧から常圧へと変化させることでAPD 密度を１桁以上低減する手法について報告してきた。今回、GaAs 成長前TBAs プリフローの開始温度を変化させたことで、GaAs/Si 界面でのAPD 発生が大幅に抑制されたので報告する。