[17p-F314-1~13] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

[17p-F314-13] GaSb/AlSb 多重量子井戸におけるスピン緩和時間の観測(Ⅱ)

〇中村 雄一¹、Li Lianhe²、山田 築¹、亀崎 拓也¹、Linfield Edmund²、竹内 淳¹ (1.早大先進理工、2.リーズ大)

キーワード：スピン緩和、GaSb/AlSb多重量子井戸、ポンププローブ法

本研究では、GaAs基板上に成長した48 nm井戸幅のGaSb/AlSb多重量子井戸におけるスピン緩和過程を時間分解ポンププローブ法によって調べた。その結果、10 Kでのスピン緩和時間は60 psであった。これは以前我々が報告したGaSb/AlSb多重量子井戸(13.4 nm井戸幅)の10Kでのスピン緩和時間38 psより長いことから、これまで積極的に報告されなかったGaSb多重量子井戸系におけるスピン緩和機構の解明に貢献し得るという点で重要な意味を持つと考えられる。