2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

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[17p-P10-1~93] 10 スピントロニクス・マグネティクス(ポスター)

2018年3月17日(土) 16:00 〜 18:00 P10 (ベルサール高田馬場)

16:00 〜 18:00

[17p-P10-6] 希薄磁性半導体(Zn,Fe)TeにおけるFe凝集領域の形成と磁化特性

中邨 拓馬1、杉村 悠1、金澤 研1、黒田 眞司1、三留 正則2、板東 義雄2、仁谷 浩明3、Bastin Bonef4 (1.筑波大院数理物質、2.物質・材料研究機構、3.高エネルギー加速器研究機構、4.カリフォルニア大学・サンタバーバラ校)

キーワード:磁性半導体、スピントロニクス

我々は室温で強磁性を示す半導体の物質探索として、Ⅱ-Ⅵ族半導体ZnTeに磁性元素であるFeを高濃度添加した(Zn,Fe)Te薄膜を対象とした研究を行っている。Zn-richで成長した薄膜試料では強磁性的な振る舞いを示し、試料内のFeの凝集領域と相関があると考えられている。今回はX線吸収微細構造解析(XAFS)によりFeの凝集領域の構造の同定を試みた。また磁化の磁場依存性(M-H)に対して強磁性クラスターの磁場応答に基づく解析を試みた。