[17p-P12-1~27] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[17p-P12-15] AlGaN/GaN HEMT 正孔トラップのMCTSによる評価

〇(B)田村 和也¹、徳田 豊¹ (1.愛知工大)

キーワード：HEMT、MCTS

AlGaN/GaN HEMTの正孔トラップを、MCTS測定により評価した。MCTS測定は、一定ゲート電圧下で、禁制帯幅以上(355 nm)の光パルスによるドレイン電流過渡応答を測定することにより行った。 光パルス幅は1 msから100 sの範囲で変化させた。光パルス幅1 s以上のMCTS測定で、GaNで見出されているH1正孔トラップが確認された。一方、光パルス幅1 msから0.5 sの300 K一定温度MCTS測定から、H１と異なる複数ピークが観測された。n-GaNショットキーダイオードに対する同様な測定を行い、HEMTとの比較検討する予定である。