[17p-P12-1~27] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[17p-P12-16] 塑性変形したn-GaN のDLTS による評価

〇(B)伊藤 俊¹、徳田 豊¹、米永 一郎² (1.愛知工大、2.東北大学)

キーワード：転位、DLTS

低転位密度（~10⁵ cm^-2）HVPE成長n-GaNに、変形により意図的に転位を導入した試料に対しショットキーダイオードを作成し、DLTS測定によりトラップの測定を行った。A、Bとラベルした電子トラップが観測された。SiC基板上MOVPE n-GaNのDLTS信号と比較すると、ピーク温度は、トラップAはE1、トラップBはE7に対応するが、トラップA、BのDLTS信号は非常にブロードであることが分かった。DLTS信号の捕獲パルス幅依存性の測定を行い、関連性について検討する。