[17p-P12-1~27] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[17p-P12-21] 直接接合によるSiC/Si 界面特性の熱処理温度依存性

〇下里 和史¹、梁 剣波¹、新井 学²、重川 直輝¹ (1.大阪市立大工、2.新日本無線(株))

キーワード：直接接合、SiC、Si