[17p-P12-1~27] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[17p-P12-26] 1対の電子チャネルと正孔チャネルを内蔵したAlGaAs / GaAs / AlGaAsダブルヘテロ構造における特性評価

〇大保 嵩博¹、櫛田 知義²、テウク ロッフィ¹、岩田 直高¹ (1.豊田工業大工、2.トヨタ自動車株式会社)

キーワード：スーパー接合

低損失かつ高出力のパワーデバイスを作製するために，ヘテロ構造を用いたスーパージャンクション(H-SJ)が好適である．H-SJデバイスへの一歩として，1対の二次元電子および正孔チャネルを有するAlGaAs/GaAs/AlGaAs 4端子テストデバイスを作製した．電子および正孔チャネルのドーピング濃度を約2×10¹²cm^-2で揃えることにより，一方のチャネルキャリアをもう一方のチャネルで制御し，空乏化させることができたので，これを報告する．