2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

3 光・フォトニクス » 3.13 半導体光デバイス

[17p-P3-1~22] 3.13 半導体光デバイス

2018年3月17日(土) 13:30 〜 15:30 P3 (ベルサール高田馬場)

13:30 〜 15:30

[17p-P3-11] ポーラスシリコン上のAl:ZnO透明導電膜厚の最適条件の選定

〇(M1)秋山 泰輝1、村松 紘児1、金 蓮花1、近藤 英一1、ジェローズ ベルナール2 (1.山梨大工、2.名古屋大工)

キーワード：Al:酸化亜鉛、ポーラスシリコン