[17p-P3-1~22] 3.13 半導体光デバイス

[17p-P3-15] InAs量子ドット波長可変光源を用いたSwept Source-OCTの構築およびOCT画像深達度拡大の検証

〇山内 翔¹、尾崎 信彦¹、大里 啓孝²、渡辺 英一郎²、池田 直樹²、杉本 喜正²、古城 健司³、宮地 邦男³、及川 陽一³、Childs David⁴、Hogg Richard⁴ (1.和歌山大シス工、2.物材機構、3.シンクランド㈱、4.グラスゴー大)

キーワード：光干渉断層計、InAs量子ドット、波長可変光源