2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(ポスター講演)

3 光・フォトニクス » 3.13 半導体光デバイス

[17p-P3-1~22] 3.13 半導体光デバイス

2018年3月17日(土) 13:30 〜 15:30 P3 (ベルサール高田馬場)

13:30 〜 15:30

[17p-P3-17] MEMSグレーティングによる波長掃引型量子カスケードレーザ

杉山 厚志1、秋草 直大1、枝村 忠孝1 (1.浜ホト)

キーワード:MEMSグレーティング、量子カスケードレーザ、波長掃引レーザ

コンパクトな波長掃引型量子カスケードレーザを実現するために、MEMSグレーティングの開発を進めている。MEMSグレーティングはグレーティング径5mmφの電磁駆動型とした。Cuダマシンによりコイルを形成し、その上層にナノインプリント法にてブレーズグレーティングを形成した。その共振周波数は1795Hzで、機械傾斜全角は8.7度に達した。これを用いて外部共振器を構成することで、波長8.3から10ミクロンまでの広帯域波長掃引を実現した。