[17p-P3-1~22] 3.13 半導体光デバイス

△ [17p-P3-22] 1.3-µm帯npn-AlGaInAs/InP トランジスタレーザにおける電気的応答を考慮した電圧変調大信号特性の解析

〇後藤 優征¹、山中 健太郎¹、吉冨 翔一¹、西山 伸彦^1,2、荒井 滋久^1,2 (1.東工大工、2.科創研)

キーワード：半導体レーザ、トランジスタレーザ