[17p-P4-1~7] 3.14 光制御デバイス・光ファイバー

[17p-P4-2] Si/LiNbO₃ハイブリッド導波路の作製と位相変調特性

〇(M1)吉冨 健太¹、Qiu Feng²、横山 士吉^1,2 (1.九大総理工、2.九大先導研)

キーワード：ニオブ酸リチウム薄膜、光変調器、シリコン光導波路

薄膜Si層をLiNbO₃/SiO₂/Siに成膜したSi-LNOIハイブリッド光導波路を作製し、位相変調器としての特性を明らかにした。Si層の厚さは50nmと薄く、光モード計算の結果から強く光電場がLiNbO₃層に浸みだして光伝搬することが分かった。作製した位相変調器の半波長電圧は4.0Vであり、光モードのさらなる最適化による低電圧駆動、および高速光伝送用の強度変調器への応用が期待できる。