[17p-P7-1~21] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[17p-P7-17] 塗布プラスチック上の300℃プロセスによるCu-MIC poly-Ge TFT

〇(M1C)内海 大樹¹、原 明人¹ (1.東北学院大工)

キーワード：薄膜トランジスタ、多結晶ゲルマニウム、金属誘起結晶化