2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[17p-P7-1~21] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

2018年3月17日(土) 13:30 〜 15:30 P7 (ベルサール高田馬場)

13:30 〜 15:30

[17p-P7-17] 塗布プラスチック上の300℃プロセスによるCu-MIC poly-Ge TFT

〇(M1C)内海 大樹1、原 明人1 (1.東北学院大工)

キーワード:薄膜トランジスタ、多結晶ゲルマニウム、金属誘起結晶化