[17p-P7-1~21] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /Interconnect technology/ MEMS/ Integration technology

[17p-P7-19] Effects of Ti thin films on contact resistance at metal/GeO₂/n-Ge electrode structure

〇Shota Kurihara¹, Takahiro Tsukamoto¹, yoshiyuki Suda¹ (1.Tokyo Univ. Agric. Technol.)

Keywords:germanium, electrode

デバイスの高速化の需要が高まる中、移動度の高いGeはSiに代わる材料として期待されている。しかし、フェルミレベルピニング（FLP）により金属/n-Ge界面において、オーミック接触が得られないという課題がある。FLPの緩和には金属/Ge界面への酸化膜の挿入が効果的であるが、酸化膜は抵抗成分となる。そこで、直列抵抗の低減に向けた金属/GeO₂/n-Ge電極構造の検討を行った。本研究では、金属/GeO₂/n-Ge電極構造におけるTi薄膜の効果について報告する。