[17p-P7-1~21] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[17p-P7-19] 金属/GeO2/n-Ge電極構造におけるTi薄膜の効果

〇栗原 祥太¹、塚本 貴広¹、須田 良幸¹ (1.東京農工大学院工)

キーワード：ゲルマニウム、電極

デバイスの高速化の需要が高まる中、移動度の高いGeはSiに代わる材料として期待されている。しかし、フェルミレベルピニング（FLP）により金属/n-Ge界面において、オーミック接触が得られないという課題がある。FLPの緩和には金属/Ge界面への酸化膜の挿入が効果的であるが、酸化膜は抵抗成分となる。そこで、直列抵抗の低減に向けた金属/GeO₂/n-Ge電極構造の検討を行った。本研究では、金属/GeO₂/n-Ge電極構造におけるTi薄膜の効果について報告する。