[17p-P8-1~24] 13.5 デバイス／集積化技術

[17p-P8-19] TSVを用いたSCM/NAND型フラッシュメモリのハイブリッドSSDにおけるSCMの仕様の評価

〇鈴木 敦也¹、杉山 佑輔¹、松井 千尋¹、竹内 健¹ (1.中央大理工)

キーワード：貫通電極