[18a-B203-1~11] 3.13 Semiconductor optical devices

[18a-B203-1] Investigation of material dependence of tunnel junction characteristics for
Improvement of electrical characteristics of VCSEL

〇(M1)Tomoyuki Aoyama¹, Tomoyuki Miyamoto¹ (1.FIRST, Tokyo Tech)

Keywords:VCSEL

光無線給電では給電効率が重要なため，光源の高効率化が重要である．VCSELアレイは2次元面光源として光無線給電に適するが，その効率低下の主因である電気抵抗の低減が必要である．
VCSELの電気抵抗低減手法としてトンネル接合の利用が有効である．トンネル接合の電気特性の逆バイアスの伝導現象を利用することで，VCSELの両側DBRを低電気抵抗のn型で構成でき，さらに光吸収抑制も可能である．一方，高効率を実現する上で，トンネル接合自身の電気抵抗が課題である．今回， GaAs系の様々な材料の組合せを用いたトンネル接合の電気特性を評価したので報告する．