2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

3 光・フォトニクス » 3.13 半導体光デバイス

[18a-B203-1~11] 3.13 半導体光デバイス

2018年3月18日(日) 09:00 〜 12:00 B203 (53-203)

西山 伸彦(東工大)

09:00 〜 09:15

[18a-B203-1] VCSEL電気特性改善に向けたトンネル接合の材料依存性の評価

〇(M1)青山 智之1、宮本 智之1 (1.東工大未来研)

キーワード:面発光レーザ

光無線給電では給電効率が重要なため,光源の高効率化が重要である.VCSELアレイは2次元面光源として光無線給電に適するが,その効率低下の主因である電気抵抗の低減が必要である.
VCSELの電気抵抗低減手法としてトンネル接合の利用が有効である.トンネル接合の電気特性の逆バイアスの伝導現象を利用することで,VCSELの両側DBRを低電気抵抗のn型で構成でき,さらに光吸収抑制も可能である.一方,高効率を実現する上で,トンネル接合自身の電気抵抗が課題である.今回, GaAs系の様々な材料の組合せを用いたトンネル接合の電気特性を評価したので報告する.