The 65h JSAP Spring Meeting, 2018

Presentation information

Oral presentation

3 Optics and Photonics » 3.13 Semiconductor optical devices

[18a-B203-1~11] 3.13 Semiconductor optical devices

Sun. Mar 18, 2018 9:00 AM - 12:00 PM B203 (53-203)

Nobuhiko Nishiyama(Titech)

9:30 AM - 9:45 AM

[18a-B203-3] Characterization of ion implantation quantum well intermixing at deep position for high efficiency VCSEL

Kentoku Horikiri1, Tomoyuki Miyamoto1 (1.FIRST,Tokyo Tech)

Keywords:VCSEL, QWI

光無線給電などの次世代フォトニックシステムに向け,2Dアレイ,高生産性といった特徴を持つ面発光レーザ(VCSEL)の高性能化を目指している.VCSELは優れた性能が実現されているが,電流狭窄のみで活性層面内のキャリア閉じ込めが無く,高効率化における課題であった.
我々は量子井戸混晶化(QWI)を用いたキャリア閉じ込めを検討しており,今回,QWIによるVCSELの特性向上に向けて,VCSELと同様な深い位置のQWのQWI条件を検討したので報告する.