[18a-B203-1~11] 3.13 Semiconductor optical devices

[18a-B203-3] Characterization of ion implantation quantum well intermixing at deep position for high efficiency VCSEL

〇Kentoku Horikiri¹, Tomoyuki Miyamoto¹ (1.FIRST,Tokyo Tech)

Keywords:VCSEL, QWI

光無線給電などの次世代フォトニックシステムに向け，2Dアレイ，高生産性といった特徴を持つ面発光レーザ（VCSEL）の高性能化を目指している．VCSELは優れた性能が実現されているが，電流狭窄のみで活性層面内のキャリア閉じ込めが無く，高効率化における課題であった．
我々は量子井戸混晶化（QWI）を用いたキャリア閉じ込めを検討しており，今回，QWIによるVCSELの特性向上に向けて，VCSELと同様な深い位置のQWのQWI条件を検討したので報告する．