[18a-B203-1~11] 3.13 半導体光デバイス

[18a-B203-3] VCSELの高効率化に向けたの深い位置におけるイオン注入量子井戸混晶化条件に関する研究

〇堀切 顕徳¹、宮本 智之¹ (1.東工大未来研)

キーワード：面発光レーザ、混晶化

光無線給電などの次世代フォトニックシステムに向け，2Dアレイ，高生産性といった特徴を持つ面発光レーザ（VCSEL）の高性能化を目指している．VCSELは優れた性能が実現されているが，電流狭窄のみで活性層面内のキャリア閉じ込めが無く，高効率化における課題であった．
我々は量子井戸混晶化（QWI）を用いたキャリア閉じ込めを検討しており，今回，QWIによるVCSELの特性向上に向けて，VCSELと同様な深い位置のQWのQWI条件を検討したので報告する．