[18a-B301-1~11] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

△ [18a-B301-11] Hf系MONOS型不揮発性メモリによる保持特性の改善

〇(DC)工藤 聡也¹、Mailig R.M.D¹、石松 慎¹、堀内 勇介¹、大見 俊一郎¹ (1.東工大)

キーワード：不揮発性メモリ、Hf、保持特性

前回までに我々は、Hf系MONOS積層構造をゲート部に有するMISFETおよびダイオードについてメモリ特性を報告した。今回、Hf系MONOS型不揮発性メモリの保持特性について検討したので報告する。