11:00 AM - 11:15 AM
△ [18a-B301-8] Molecuar dynamics simulation of solid phase epitaxy of Si
Keywords:semiconductor, Molecuar dynamics simulation, solid phase epitaxy
Siの固相エピタキシャル成長の分子動力学シミュレーションは、幾つかのグループによって行われているが、多くの研究は104個以下の原子数で、100ns以下の時間スケールである。また、シミュレーションには主に体積一定の条件(NVTアンサンブル)が使用され、圧力一定の条件(NPT)での計算は少ない。本研究では、Si の固相エピタキシャル成長の分子動力学シミュレーションを行い、系のサイズやアンサンブルの結晶化に及ぼす影響を調べた。