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一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[18a-C102-1~11] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2018年3月18日(日) 09:00 〜 12:00 C102 (52-102)

廣瀬靖(東大)

10:45 〜 11:00

△ [18a-C102-7] ミストCVD法によるYSZ基板上のSnO₂薄膜の作製と薄膜構造評価

〇丹羽泰之¹、菅大介¹、小金澤智之²、島川祐一¹ (1.京大化研、2.JASRI)

キーワード：ミストCVD、酸化物薄膜