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一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[18a-C102-1~11] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2018年3月18日(日) 09:00 〜 12:00 C102 (52-102)

廣瀬靖(東大)

11:00 〜 11:15

[18a-C102-8] ミストCVD 法によるフッ素添加SnO2 の単結晶薄膜成長

〇奥村太一¹、西中浩之¹、吉本昌広¹ (1.京都工繊大)

キーワード：ミストCVD、エピタキシャル成長、酸化スズ