[18a-C302-1~12] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[18a-C302-9] GaN/Al_xGa_1-XNにおけるエッチング選択比のAl組成(x)依存性

〇角野 純平¹ (1.名工院工)

キーワード：窒化物半導体、選択ドライエッチング