[18a-D101-1~10] 16.3 シリコン系太陽電池

[18a-D101-1] Voc、IscマッピングによるRib型Si太陽電池の評価

〇小長井 誠¹、市川 幸美¹、黒川 康良² (1.都市大総研、2.名大工)

キーワード：太陽電池、ヘテロ接合型Si太陽電池

Si太陽電池の超薄型化を目指しRib構造・ヘテロ接合太陽電池の開発を進めている。Rib構造では、面積比で10%程度のRib部分が薄型化された部分を機械的に支えている。Siが厚い部分（ウェハ厚）と薄い部分（エッチングされた部分）が存在するため、面内で太陽電池特性が分布している。そこでレーザテック社のMP15を用いてRib型Si太陽電池の特性マッピングを試みた。その結果、Rib部分と薄膜部分での開放電圧差約10mV程度を認めることができた。