[18a-D101-1~10] 16.3 シリコン系太陽電池

[18a-D101-5] 極薄a-Si:Hのギャップ内準位と輸送特性 ～水素希釈とアニールの効果～

〇布村 正太¹、坂田 功¹、松原 浩司¹ (1.産総研太陽光発電研究センター)

キーワード：シリコンヘテロ接合太陽電池、水素化アモルファスシリコン、パッシベーション

シリコンヘテロ接合(SHJ)太陽電池において、水素化アモルファスシリコン(a-Si:H)パッシベーション膜は、結晶シリコン表面のダングリングボンド(DBs)欠陥を終端するとともに、キャリアの選択的な輸送を制御する極めて重要な役割を担う。筆者らは、これまでに、a-Si:H極薄膜（膜厚10nm以下）のギャップ内準位とキャリア輸送特性を調査し、(i)極薄膜化に伴いギャップ内準位は増加し輸送特性が低下すること、(ii)輸送特性を最適化する成膜温度は低温側にシフトすることを示してきた[1]。今回、太陽電池パッシベーション膜の作製プロセスで、性能向上に多用される水素希釈の効果と成膜後のアニーリング効果について調査したので報告する。[1]S.Nunomua et al., Appl. Phys. Express 10, 081401 (2017).