[18a-D103-1~10] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[18a-D103-10] 第一原理ランダム構造探索法を用いたシリコン結晶照射誘起欠陥の構造データベース解析

〇稲垣 淳¹、Georg Schusteritsch²、Chris J. Pickard²、李 明憲¹ (1.淡江大理、2.Cambridge大理)

キーワード：マテリアルズインフォマティクス、ランダムストラクチャサーチング、大域的データ解析

結晶欠陥の評価手法として，第一原理ランダム構造探索法（Ab Initio Random Structure Searching，AIRSS）を用いた，第一原理計算による構造データベース解析を提案する．対象とする系にはシリコンバルク結晶の照射誘起欠陥を選び，構造探索，データベース構築を実施した．結果から，例えば単原子空孔を代表的安定構造とする系では四配位欠陥複合体（fourfold coordinated defects complex）などが予測され，本手法が半導体結晶欠陥の大域的構造データ解析に資することが示唆された．