Effects of Interface Layers for the Heusler Based Current-perpendicular-to-plane giant Magnetoresistance Junctions

Takahide Kubota; Yusuke Ina; Zhenchao Wen; Koki Takanashi

講演情報

一般セッション(口頭講演)

10 スピントロニクス・マグネティクス » 10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術

[18a-D104-4~11] 10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術

10.1と10.2と10.3のコードシェアセッションあり

2018年3月18日(日) 10:00 〜 12:00 D104 (56-104)

水上成美(東北大)

10:00 〜 10:15

▲ [18a-D104-4] Effects of Interface Layers for the Heusler Based Current-perpendicular-to-plane giant Magnetoresistance Junctions

〇Takahide Kubota^1,2、Yusuke Ina¹、Zhenchao Wen^1,2、Koki Takanashi^1,2 (1.IMR, Tohoku Univ.、2.CSRN, Tohoku Univ.)

キーワード：CPP-GMR, Heusler alloy, magnetoresistance effect

Interfacee tailoring effects were investiagted for Co₂(Fe,Mn)Si/Ag₃Mg/Co₂(Fe,Mn)Si CPP-GMR junctions. MR ratio decreased with Fe or Mg inserts, on the other hands, the output voltage nearly independent of the insertion. The detail will be discussed at the presentation.