Write-error rate of perpendicular-anisotropy CoFeB/MgO-based magnetic tunnel junction with different junction diameters

Takaharu Saino; Hideo Sato; Shunsuke Fukami; Hideo Ohno

講演情報

一般セッション(口頭講演)

10 スピントロニクス・マグネティクス » 10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術

[18a-D104-4~11] 10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術

10.1と10.2と10.3のコードシェアセッションあり

2018年3月18日(日) 10:00 〜 12:00 D104 (56-104)

水上成美(東北大)

11:15 〜 11:30

▼ [18a-D104-9] Write-error rate of perpendicular-anisotropy CoFeB/MgO-based magnetic tunnel junction with different junction diameters

〇Takaharu Saino¹、Hideo Sato^1,2,3,4、Shunsuke Fukami^1,2,3,4、Hideo Ohno^1,2,3,4,5 (1.RIEC. Tohoku Univ.、2.CSRN. Tohoku Univ.、3.CSIS. Tohoku Univ.、4.CIES. Tohoku Univ.、5.WPI. Tohoku Univ.)

キーワード：Spintronics, magnetic tunnel junction, write error rate