[18a-E202-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

[18a-E202-3] ＨＶＰＥ成長ＧａＮホモエピタキシャル層の平坦性改善

〇藤倉 序章¹、今野 泰一郎¹ (1.サイオクス)

キーワード：GaN、HVPE、平坦性

HVPE法によるGaNのホモエピタキシャル成長において、高平坦なGaN層を成長する条件を検討した。成長初期の表面荒れは、昇温~成長開始間の表面のエッチングを抑制することで防止される。また、厚膜成長で見られるマクロ・ステップはファセット成長によるものであり、高温成長により抑制できることを示した。