[18a-E202-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

[18a-E202-6] ハイライド気相成長法によるストライプマスクのオフ角がGaNのファセット形状および結晶品質に与える影響

〇金 輝俊¹、池内 裕紀²、井本 良²、岡田 成仁²、只友 一行² (1.山口大工、2.山口大学院・創成科学)

キーワード：GaN、ハイライド気相成長法、オフ角