[18a-F104-1~12] 12.2 Characterization and Materials Physics

[18a-F104-5] Fabrication of Donor-Acceptor Interfaces for Phase Transition Transistors

〇Daiki Yamamoto¹, Kajiwara Keisuke¹, Okada Yugo², Yamauchi Hiroshi¹, Sadamitsu Yuichi³, Hashimoto Yuta³, Sakai Masatoshi¹, Kudo Kazuhiro¹ (1.Chiba Univ., 2.Center for Frontier Science, Chiba Univ., 3.Nippon Kayaku Co. Ltd.)

Keywords:donor-acceptor interfaces, organic single crystals, field effect transistors

ドナー-アクセプタ界面につくられる二次元電子系は、外部電界により電子物性を制御することが可能であると考えられる。界面を活性層としたトランジスタを作製し、4端子測定を行った。4端子抵抗の温度特性では高温で金属的挙動、低温で半導体的挙動が見られた。ゲート電圧の増加により抵抗値は減少し、温度特性の変曲点は低温へシフトした。この結果はドナー-アクセプタ界面を用いた相転移型トランジスタの実現の可能性を示す。