[18a-F104-1~12] 12.2 評価・基礎物性

[18a-F104-5] 相転移型トランジスタを目指したドナー-アクセプタ界面デバイスの作製

〇山本 大樹¹、梶原 佳祐¹、岡田 悠悟²、山内 博¹、貞光 雄一³、橋本 雄太³、酒井 正俊¹、工藤 一浩¹ (1.千葉大院工、2.千葉大先進科学センター、3.日本化薬)

キーワード：ドナー-アクセプタ界面、有機単結晶、電界効果トランジスタ

ドナー-アクセプタ界面につくられる二次元電子系は、外部電界により電子物性を制御することが可能であると考えられる。界面を活性層としたトランジスタを作製し、4端子測定を行った。4端子抵抗の温度特性では高温で金属的挙動、低温で半導体的挙動が見られた。ゲート電圧の増加により抵抗値は減少し、温度特性の変曲点は低温へシフトした。この結果はドナー-アクセプタ界面を用いた相転移型トランジスタの実現の可能性を示す。