[18a-F206-1~9] 6.2 Carbon-based thin films

△ [18a-F206-6] Enhancement of Superconducting Transition Temperature of (111) Boron Doped Diamond in Thin Film

〇(B)Shotaro Amano¹, Masakuni Hideko¹, Taisuke Kageura¹, Ikuto Tsuyuzaki¹, Yoshihiko Takano², Minoru Tachiki², Shuuichi Oi², Hiroshi Kawarada^1,3 (1.Waseda Univ., 2.NIMS, 3.Waseda zaiken)

Keywords:Superconductivity, Diamond, Thin Film

マイクロ波プラズマ化学気相堆積(MPCVD)法によって合成した超伝導ダイヤモンドは高温高圧合成に比べて超伝導転移温度Tcが高い傾向にある。一方で成長初期のボロン取り込み効率が課題で、200nm以下の薄層ではTcの低下がみられた。本研究では微細加工化に向けてボロン供給法の改善を行い、120nmで厚膜同等のTc=10.1K、42nmの薄層でもTc=7.8Kと従来手法より高い値が得られた。膜厚依存理論式やSIMS結果から成長初期のボロン取り込み効率の向上が示唆された。