[18a-G203-1~10] 13.5 デバイス／集積化技術

[18a-G203-7] GaAsSb/InGaAsダブルゲートTunnel FETにおける量子効果の検討
‐正孔バンドの取り扱い‐

〇國貞 彰吾¹、福田 浩一^1,2、宮本 恭幸¹ (1.東工大、2.産総研)

キーワード：トンネルFET、デバイスシミュレーション、正孔の有効質量

量子効果を考慮したTFETのシミュレーション方法と得られた量子効果の影響について述べる．Schrödinger-Poissonの解析を行い，伝導帯，価電子帯の第一サブバンドエネルギーを求めた．このサブバンドエネルギーを実効的なバンドギャップの広がりとみなし，バンドパラメータに反映させて，デバイスシミュレーションを行った．今回は特に重い正孔と軽い正孔の扱いに関して議論する．